SIMULATION ET MODELISATION DE LA VARIATION DE LA MOBILITE DE HALL DES PHOTOELECTRONS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DANS LES CRISTAUX DE n-ZnSe :Zn IRRADIES AVEC DES ELECTRONS ENERGETIQUES

Authors

  • D DJOUADI Université de Béjaia
  • B BOUGHIDEN Université de Béjaia
  • A CHELOUCHE Université de Béjaia
  • D NEDEOGLO State University of Moldova

Keywords:

Irradiation, ZnSe, mobilité, photoélectron, cluster, modélisation, simulation

Abstract

Dans l’intervalle de températures [77..300 K] a été mesurée la mobilité de Hall des électrons d’équilibre et des photoélectrons dans les cristaux de n-ZnSe :Zn irradiés avec un faisceau d’électrons d’énergie E=1,3 MeV et dont la dose d’irradiation varie entre 2,73 1016 et 5.19 1017 électrons/cm2 . Le comportement de la mobilité des photoélectrons s’explique parfaitement dans le cadre d’un modèle à deux-barrières d’un semi-conducteur inhomogène représentant une matrice faiblement ohmique contenant des inclusions fortement ohmiques (clusters). En se basant sur les théories de Shik et de Petrossiyan , une expression approximative de la mobilité de Hall a été obtenue. Il a été montré que ce modèle fonctionne parfaitement pour les petites doses d’irradiation. Lorsque la dose dépasse une certaine valeur critique ( D= 2.98 1017 électrons /cm2) le modèle considéré passe au modèle du potentiel à relief aléatoire.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

D DJOUADI, Université de Béjaia

Laboratoire de Génie de l’Environnement

B BOUGHIDEN, Université de Béjaia

Laboratoire de Génie de l’Environnement

A CHELOUCHE, Université de Béjaia

Laboratoire de Génie de l’Environnement

D NEDEOGLO, State University of Moldova

Department of Physics

References

- Aven M.,Segal B. Phys.Rev, V32, N°10 pp- 81-91, (1963).

- Kireev P., La physique des semiconducteurs. Ed.Mir. Moscou , (1975).

- Rogach A.L ,Materials Science and Engineering, B69-70, pp-435-440, (2000)

- Djouadi D. Études des propriétés électriques et photoélectriques des cristaux désordonnés de séléniure de zinc possédant une mémoire optique, thèse de Doctorat, Kichinev, (1990).

- Shik A.Y, Fizik. i Tech.Poloprovodn, T11.V9,pp-1758-1764, (1977).

- Kasiyan V.A., Nedeoglo D.D., Nedeoglo N.D. Phys.Rev V10, N°13,pp-(1998).

- Blajku A.L. Djouadi , D.,.Kasiyan V.A, Nedeoglo D.D., Fiz. i Tekhn. Polopro. V.26, N°5, pp-900-905 (1992).

- Blajku A.L, Djouadi D., Kasiyan V.A., Nedeoglo D.D., Phy. Stat. Sol (a) ,V148, N°2 .pp-521-531, (1995).

- Petrosiyan S.G., Shik A.Y., Fizik. i Tech.Poloprovodn., T.10, N° 199, pp-1258-1265 (1976).

- Shik A.Y. , Fizik. i Tech.Poloprovodn. T11.V9,pp-1758-1764, (1977).

- Bezlyundnyi S.V., Kolesnikov N.V.,Shik A.Y, Fizik. i Tech.Poloprovodn. T11,V.10 pp-1906 -1915, (1977).

- Boughiden B., Modélisation et simulation de la mobilité de Hall pour les photoélectrons dans les cristaux de séléniure de zinc irradiés par des électrons rapides, Mémoire de Magister, 2004, Université de Béjaia.

- Bolboshenko V.Z., Djouadi D.,Kasiyan V.A. Nedeoglo D.D., Phys. Stat.Sol. (a) V.12, N°133,pp-121-136 (1992).

Published

2007-12-01

How to Cite

DJOUADI, D., BOUGHIDEN, B., CHELOUCHE, A., & NEDEOGLO, D. (2007). SIMULATION ET MODELISATION DE LA VARIATION DE LA MOBILITE DE HALL DES PHOTOELECTRONS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DANS LES CRISTAUX DE n-ZnSe :Zn IRRADIES AVEC DES ELECTRONS ENERGETIQUES. Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (26), 63–68. Retrieved from http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/164

Issue

Section

Articles