EFFET DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES DE CdTe

N BRIHI, K GUERGOURI

Résumé


L’effet des dislocations sur les propriétés électriques et optiques de CdTe de type n, pour les faces  (111), est un sujet de très grand actualité.

   Sur des cristaux non intentionnellement dopés, on introduit des dislocations par microindentation. Les mesures de photoluminescence et de capacité-tension  ont permis la constatation d’un phénomène de compensation, d’augmentation du gap et la spécification de la nature des défauts ponctuels existants.


Mots-clés


Dislocations; microindentation; photoluminescence; mesures électriques; barrière de Schottky; rosette d'indentation

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Références


- Braun C., Helberg H.W. and George A., Phil. Mag. A53 (1986).

- Sudharsanan R., Parnham K.B. and Karam N.H., Laser Focus World, 32, N°6 (1996), p. 199.

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