(RF) ‏بطريقة الرش المهــبطي: تأثير الاستطاعة a-SiN الخصائص الكهربائية لرقائق نيتريد السيليسيوم اللامتبلور

ع عطاف, م.ص عيدة, م.ل بن خذير

Résumé


تستعمل رقائق نيتريد السيليسيوم اللامتبلور (a-SiN) المحضرة تحت درجة حرارة منخفضة بكثرة في ميدان الإلكترونيات الدقيقة. و لملاحظة تأثير الاستطاعة RF  على الخصائص  الكهربائية لهذه الرقائق، تم ترسيب مجموعة منها تتراوح استطاعة توضعها بين 150 واط و 400 واط.

            تمت دراسة تغيرات التيار و السعة بدلالة الجهد و ذلك باستخدام تركيبة: (MIS)، حيث كان للاستطاعة RF تأثير واضح على هذه الخصائص، إذ بزيادتها تغير نوع النقل من الأومي إلى البـول-فرنكل، أما المقاومية (r) فقد أبدت تزايدا مع زيادة الاستطاعة، بينما تناقص مجال الانهيار الكهربائي وثابت العازلية الديناميكي (ed) مع زيادتها.

            دراسة السعـة الكهربائية C(v) بينـت أن الرقائق تحتوي على حوامـل شحـن في الحجـم و في منطقة التداخـل و تزايدت بزيـادة الاستطاعة RF، بينما أبدى ثابت العازلية الساكن (es) ارتفاعا كبيرا عند الإستطاعات الضعيفة ثم حدث له سقوط سريع، بعدها بدأ في التزايـد بزيادة الاستطاعة.

 


Mots-clés


نيتريد السيليسيوم ; الرش المهبطي ; الشرائح الرقيقة ; الخصائص الكهربائية

Texte intégral :

PDF (العربية)

Références


- Johnson C.C, Wydeven T. and Donohoe K., Solar Energy Mater, 31, (1983), p. 355.

- Powell M.G. and Orton J., Appl. Phys. Lett., 45, (1984), p. 171.

- Burgess T.E., Baum J.C., Fowkes F.M., Holmstron R. and G.A., J. Electrochem. Soc., 116, (1968), p. 1005.

- Ramesh K., Chandorkar A.N. and Vasi J., J. Appl. Phys., 70 (40), 15 august (1991).

- Yoshiaki Kamigaki, Shinichi Minami and Hisoyuki Kato, J. Appl. Phys., 68 (5), 1 September (1990).

- Mogab C.J., Petroff P.M., and Shang T.T., J. Electrochem. Soc., 122, (1975), p. 815.

- Shimakawa K. and Wakamatsu S., J. Appl. Phys., 68 (1), 1 July (1990).

- Hattori R. and Shirafuji J., Journal of non Crystaline Solids, 128, (1991), pp. 91-100.

- Jiong Huoi Zhou, Kengou Yamaguchi, Yamamoto and Tatsuo Shimuzu, J. Appl. Phys., 74 (8), 15 October (1993).

- Aida M.S., Attaf A and Benkhedir M.L., Phil. Mag., 73, (1996), p. 339.

- Dimaria D.J. and Arnet P.C., IBM. J. Res. Develop. (1977), p. 277.

- Mogab C.J. and Lugujjo E., J. Appl. Phys., 47, (1976), p. 1302.

- Hu S.M. and Gregor L.V., J. Electrochem. Soc., 114, (1967), p. 826.

- Cordes L.F., Appl. Phys. Lett., 11, (1967), p. 383.

- Sze S.M., "Physics of semiconductor devices", (1981), ed. J. Wiley et Sons.

- Nicolas E.H. and Brews J.R., "MOS Physics and Technology", (1982), ed. J. Wiley et Sons.


Renvois

  • Il n'y a présentement aucun renvoi.




 

Direction des Publications et de l'animation scientifique

Université des Frères Mentouri Constantine 1. Route Ain El-Bey. 25000. Algérie.