MODELE HYPERFREQUENCE DU TRANSISTOR MESFET GaAs

Auteurs-es

  • C KENZAI Université Mentouri Constantine
  • S AMOURACHE Université Mentouri Constantine
  • Y SAIDI Université Mentouri Constantine
  • M ZAABAT Université Mentouri Constantine

Mots-clés :

MESFET GaAs, hyperfréquences, facteurs d'admittance, gains de puissance

Résumé

Dans cet article, nous proposons une analyse mathématique du comportement dynamique du transistor à effet de champ à grille Schottky à l’arséniure de gallium.

                Le système d’équations différentielles de la répartition du potentiel et du courant dans la zone active du composant est établi en tenant compte de l’effet de la réduction de mobilité en fonction du champ électrique. Sa résolution permet l’obtention des facteurs admittance du composant.

                Les résultats obtenus concernent les variations des parties réelles et imaginaires des paramètres admittance en fonction de la fréquence pour deux types de structure à grille longue et à grille courte. Les performances hyperfréquences et plus particulièrement le facteur de stabilité de Linvill et les gains en puissance sont déterminés et la comparaison théorie – expérience montre le bien fondé de la méthode. 

Bibliographies de l'auteur-e

C KENZAI, Université Mentouri Constantine

Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications

S AMOURACHE, Université Mentouri Constantine

Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications

Y SAIDI, Université Mentouri Constantine

Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications

M ZAABAT, Université Mentouri Constantine

Unité de Recherche de Physique des Matériaux et Applications

Références

- Lungli C., Barton T.M., Miles R.E., "Avalanche breackdown and surface deep level trap effect in GaAs MESFET’s", IEEE Trans. on Elect. Devices, 40, 4, (1993).

- Lo S.H., Le C.P., "Numerical analysis of the looping effect GaAs MESFET’s", IEEE Trans. on Elect. Devices, 39, 2 (1992).

- Boudouh, "Etude des propriétés hyperfréquences du MESFET GaAs", thèse de Magister, Univ. Constantine (1999).

- Rodriguez Tellez J. et al., IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 41, N°3, March (1994).

- Benbouza M.S., Thèse de Magister, Univ. de Constantine (1994).

- Linvill J.G., Gibbons J.F., Transistors and Active Circuits, Mc. Graw Hiel New-York, (1961), pp. 209-263.

- Kenzai C. et al., Revue URSMA, Université de Constantine (1995-1996).

- Law L. et al., IEEE Transaction on Microwave Theory and Technics, Vol. M.T.T. 34, N°12, December (1986).

- Weitzez C.E. et al., IEEE Electron Devices Letters, Vol. 16, N°10, October (1995).

Téléchargements

Publié-e

2001-12-01

Comment citer

KENZAI, C., AMOURACHE, S., SAIDI, Y., & ZAABAT, M. (2001). MODELE HYPERFREQUENCE DU TRANSISTOR MESFET GaAs. Sciences & Technologie. B, Sciences De l’ingénieur, (1), 23–27. Consulté à l’adresse https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/1865

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