EFFET DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES DE CdTe

Authors

  • N BRIHI Université Mentouri Constantine
  • K GUERGOURI Université Mentouri Constantine

Keywords:

Dislocations, microindentation, photoluminescence, mesures électriques, barrière de Schottky, rosette d'indentation

Abstract

L’effet des dislocations sur les propriétés électriques et optiques de CdTe de type n, pour les faces  (111), est un sujet de très grand actualité.

   Sur des cristaux non intentionnellement dopés, on introduit des dislocations par microindentation. Les mesures de photoluminescence et de capacité-tension  ont permis la constatation d’un phénomène de compensation, d’augmentation du gap et la spécification de la nature des défauts ponctuels existants.

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Author Biographies

N BRIHI, Université Mentouri Constantine

Département de Physique, Faculté des Sciences

K GUERGOURI, Université Mentouri Constantine

Département de Physique, Faculté des Sciences

References

- Braun C., Helberg H.W. and George A., Phil. Mag. A53 (1986).

- Sudharsanan R., Parnham K.B. and Karam N.H., Laser Focus World, 32, N°6 (1996), p. 199.

- Guergouri K, Ferah M.S., Triboulet R. and Marfaing Y., Jour. Crystal. Growth, (1994), p. 139.

- Fissel A., Schenk M., J. of Mater. Sci., 3 (1992).

- Sieber B., Thèse d’état, Université Paris-Sud (1985).

- Zanio K., "Semiconductors and Semimetals", Academic Press (1978).

- Rivière A., Sieber B. and Rivière J.P., Microx. Microanal. Microstruct., 2 (1991).

Published

2000-06-01

How to Cite

BRIHI, N., & GUERGOURI, K. (2000). EFFET DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES DE CdTe. Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (13), 25–27. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/1648

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