INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT SUR LES QUALITES DES COUCHES ZnTe DOPES PAR L’As
Keywords:
ZnTe, épitaxie, photoluminescence, régime optimale, excitonAbstract
Dans ce présent article, nous cherchons un régime de températures optimal pour l'obtention des couches minces et monocristallines de ZnTe et dopées par l'Arséniure sont obtenues par la méthode d'épitaxie en phase vapeur. La température de la source (ZnTe) Tsou est fixée à 780°C et celle du substrat en Sélénium de Zinc (ZnSe) (TSub) varie de 620°C à 690°C.
L'apparition d'une raie intense à caractère excitonique dans le spectre de
photoluminescence des couches ZnTe obtenues sous un régime de température Tsou = 780°C et Tsub = 670 – 690°C confirme les bonnes qualités cristallines des couches = obtenues.
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