(untitled) (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2015)
Le mouvement d’une dislocation en interaction avec une interface, en l’absence de contraintes extérieures, est contrôlé par le bilan des contraintes internes. Ce bilan comprend la force de frottement du réseau où contrainte de Peierls-Nabarro et une force due à l’anisotropie du matériau dite force image. Nous étudions la mobilité de la dislocation parfaite 1/3<11-20> dans le plan de glissement basal (0001) de la structure hexagonale. Les dislocations sont parallèles au plan de l’interface sont en interaction élastique avec cette interface et située à une distance d de celui-ci. Elles sont situées dans le cristal (1) d’un bicristal constitué de deux métaux parmi Zn, Be, Co, Hf, Ti, Zr, Cd, Y, Mg et Tl qui sont élastiquement anisotropes. Chaque dislocation est caractérisée par la direction de sa ligne et son vecteur de Burgers b. L’interface est définie par son plan qui est le plan basal pour les deux cristaux et une désorientation nulle. La mise en mouvement de la dislocation sous l’effet de la force image dépend de l’intensité de l’énergie d’interaction élastique dislocation-joint interphase et de la distance à laquelle se trouve la dislocation. La mise en mouvement est effective si l’intensité de la force image (Fi= -DE/d, DE est l’énergie d’interaction élastique) est supérieure à la contrainte de Peierls. La dislocation est attirée ou repoussée selon le sens de la force image. Une distance critique, dc, est définie quand la force image est égale à la force de Peierls. Les résultats montrent que la dislocation est attirée vers l’interface quand le cristal 2 est plus mou que le cristal 1, elle est repoussée quand le cristal 2 est le plus dur.