(untitled) (Sciences & Technology. A, exactes sciences, 2006)
Le silicium est très important pour la fabrication des cellules solaires. La caractérisation des semiconducteurs par le microscope électronique à balayage (SEM) en utilisant les technique associées, telle que le courant induit par le faisceau électronique (EBIC) et cathodoluminescence (CL), est très intéressante. Actuellement, la méthode Monte Carlo devient un bon outil pour simuler l’interaction électron-matière et la longueur de diffusion. Dans ce travail, on propose un nouveau modèle de calcul Monte Carlo permet d’étudier la profondeur des électrons et la dissipation d’énergie dans le silicium. Nos résultats sont comparés avec ceux obtenus par d’autres modèles analytiques. Concernant la profondeur de pénétration, il y a un bon accord avec les autres modèles, en particulier, dans le domaine de faible énergie d’accélération.