INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE.
Keywords:
MESFET AsGa, Paramètres technologiques, éléments parasites, grille SchottkyAbstract
Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, letraitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouent
un rôle primordial. Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effet
de champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Après
une étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimes
de fonctionnement, une simulation numérique est effectuée. L’influence des dimensions
technologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée. Les résultats obtenus permettent de déterminer les
paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications et
utilisations spécifiques.
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Published
2005-12-24
How to Cite
KHEMISSI, S., MERABTINE, N., KENZAI, C., & BENBOUZA, M. (2005). INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE. Sciences & Technology B, Engineering Sciences, (24), 31–36. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/268
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