INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE.

Auteurs-es

  • S KHEMISSI Centre Universitaire de Khenchela.
  • N MERABTINE Univ Constantine 1
  • C KENZAI Univ Constantine 1
  • M.S BENBOUZA Univ Constantine 1

Mots-clés :

MESFET AsGa, Paramètres technologiques, éléments parasites, grille Schottky

Résumé

Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, le
traitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouent
un rôle primordial. Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effet
de champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Après
une étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimes
de fonctionnement, une simulation numérique est effectuée. L’influence des dimensions
technologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée. Les résultats obtenus permettent de déterminer les
paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications et
utilisations spécifiques.

Biographies de l'auteur-e

  • S KHEMISSI, Centre Universitaire de Khenchela.
    Département de SETI.
  • N MERABTINE, Univ Constantine 1
    Lab. Electromagnétisme et
    télécommunications. Dpt.
    Electronique. Fac. Sce.
    Ingénieur.
  • C KENZAI, Univ Constantine 1
    Lab. Couches minces et
    interfaces. Dpt. Physique.
  • M.S BENBOUZA, Univ Constantine 1
    Lab. Couches minces et
    interfaces. Dpt. Physique.

Références

- S.P.Chin, C.Y.We. IEEE Trans. Electron Devices Vol

, N° 4 - 1993.

- C.S.Chang, D.Y.Day. IEEE Trans Electron Devices

Vol 36, N° 2 – 1989.

- K. F. Yasihuko and al. IEEE Trans U.T.T, N°3 –

- S. P. Murray, K. P. Roenker Solid State Electronics

Vol 46 -2002.

- T.A. Fjedley, T. Yterdal, M. S. Shur, Wiley, New

York -1998.

- K.M.Shin, D.P.Klamer, J.I.Lion . Solid Stat

Electronics Vol 35, N° 11 – 1992.

- C. Leifso and al. IEEE Trans Electron Devices , N°5 –

- S.Khemissi Thèse de Magister Université de

Constantine Mai 2003.

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Publié

2005-12-24

Numéro

NO 24 Décembre 2005

Rubrique

Articles

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Comment citer

INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE. (2005). Sciences & Technologie. B, Sciences De l’ingénieur, 24, 31-36. https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/268