EFFET DU GETTERING SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PLAQUETTES DE SILICIUM SEMICRISTALLIN "SOPLIN"

Auteurs-es

  • A MOUHOUB Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger
  • B MAHMOUDI Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger

Mots-clés :

diffusion, gettering, longueur de diffusion, cellule solaire, silicium

Résumé

L’effet des diffusions du phosphore à haute température (T = 900°C) sur la longueur de diffusion (Ln) des plaquettes de silicium semicristallin SOPLIN (SOlidification by PLanar INterface) est déterminé par la mesure de la réponse spectrale de la photopile réalisée sur le matériau traité. L’influence de ces recuits sur les paramètres photovoltaïques est enregistrée dans les caractéristiques courant - tension sous éclairement simulé et la réponse spectrale.

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Bibliographies de l'auteur-e

A MOUHOUB, Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger

Laboratoire des Cellules Photovoltaïques

B MAHMOUDI, Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger

Laboratoire des Cellules Photovoltaïques

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Publié-e

2003-06-01

Comment citer

MOUHOUB, A., & MAHMOUDI, B. (2003). EFFET DU GETTERING SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PLAQUETTES DE SILICIUM SEMICRISTALLIN "SOPLIN". Sciences & Technologie. A, Sciences Exactes, (19), 32–35. Consulté à l’adresse http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/1829

Numéro

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