EFFET DU GETTERING SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PLAQUETTES DE SILICIUM SEMICRISTALLIN "SOPLIN"

Authors

  • A MOUHOUB Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger
  • B MAHMOUDI Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger

Keywords:

diffusion, gettering, longueur de diffusion, cellule solaire, silicium

Abstract

L’effet des diffusions du phosphore à haute température (T = 900°C) sur la longueur de diffusion (Ln) des plaquettes de silicium semicristallin SOPLIN (SOlidification by PLanar INterface) est déterminé par la mesure de la réponse spectrale de la photopile réalisée sur le matériau traité. L’influence de ces recuits sur les paramètres photovoltaïques est enregistrée dans les caractéristiques courant - tension sous éclairement simulé et la réponse spectrale.

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Author Biographies

A MOUHOUB, Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger

Laboratoire des Cellules Photovoltaïques

B MAHMOUDI, Unité de Développement de la Technologie du Silicium (UDTS), Alger

Laboratoire des Cellules Photovoltaïques

References

- Koch W., Krumbe W., Swirtlich I.A., Proc. of 11th European PVSEC, Montreux (Switzerland), 12-16 oct., (1992), p.518 .

- Pizzini S., Acciarri M., Binetti S., Accerboni S., Proc. of 10th European PVSEC, Lisbon (Portugal), 8-12 April, (1991), p.670.

- AkihisaYoshida, Masatoshi Kitagawa, Fuhiyo Tojo, Nobutaka Egashira, Keisuke Nakagawa, Tomio Izumi, Takashi Hirao, Solar cells 34, (1991),p.211

- Efremov A.A., Klyui N.I., Litovchenko V.G., Popov V.G., Romanyuk A.B. and BRomanyuk.N., Solid State Phenomena, 69-70, (1999), p.285.

- Bhushan Sopori and Yi Zhang, NCPV Program, Review Meeting, Lakewood, Colorado (U.S.A), Oct.14-17, (2001).

- Verhoef L.A. and Michiels P.P., NREL 2nd Workshop, Breckenridge Colorado (U.S.A), Aug. 24-26, (1992).

- Notice technique Bayer, Bayer solar GmbH Berthelsdorter Str.113 D - 09584 Freiberg/sachsen. Germany.

- Perrichaud I. and Martinuzzi S., J. Phys. III France, 2 (1992), p.313.

- Sze S.M., Physics of Semiconductor Devices, 2ème éd., Wiley, New York, (1981).

- Mouhoub A., Elamrani A.E.K., Revue Sciences et Technologie, 11, (1999), p.43.

- Mouhoub A., Mahmoudi B., N. Mougas, Actes du colloque CHMESS 2000 Blida 13-15 Mai (2000), p.444.

- Martinuzzi S., Perrichaud I., Gervais J. and Sarti D., Proc of 10th European PVSEC, 8 -12 April, Lisbon (Portugal) (1991), p.320.

- Sopori B.L., Jastrzebski L. and Tan T., Proc. of 25 th IEEE PVSEC, May 13-17,Washington, D.C. (1996).

Published

2003-06-01

How to Cite

MOUHOUB, A., & MAHMOUDI, B. (2003). EFFET DU GETTERING SUR LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PLAQUETTES DE SILICIUM SEMICRISTALLIN "SOPLIN". Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (19), 32–35. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/1829

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