TRAITEMENT NUMERIQUE DES MESURES PAR SONDE IONIQUE. APPLICATION AUX SILICIURES

M BOULAKROUNE, M BERRABAH

Résumé


L’objectif de ce travail est le traitement numérique des mesures par sonde ionique de la structure Ti/Si. Ce traitement comporte deux applications principales dont la première est la simulation des spectres de masse à partir du calcul des abondances des différentes combinaisons isotopiques des éléments de la structure. La deuxième application est la quantification des résultats bruts. Cette quantification repose sur l’utilisation du facteur de la sensibilité relatif (RSF) pour la conversion de l’intensité ionique en concentration. L’échelle des profondeurs est étalonnée à partir de la détermination des vitesses d’érosion dans les différentes couches. Les résultats de ce traitement numérique nous rapproche d’une vision quantitative tout à fait cohérente.

Mots-clés


SIMS ; Spectres de masse ; Abondances ; Quantification ; RSF ; TiSi

Texte intégral :

PDF

Références


- Brown A. and Vickerman J.C., "Static SIMS for Applied Surface Analysis", Surface and Interface Analysis, Vol.6, N°1, (1984), pp.1-14.

- Benninghoven A., Rudenauer F.G. and Werner H.W., "Secondary ion Mass Spectrometry, Basic Concepts, Instrumental Aspects, Applications and trends", New-York, John Wiley and Sons, (1987), p.1227.

- Botter R., Bouchoux G., "Spectrométrie de masse", Techniques de l'ingénieur, Vol. P4, N°2618, (1997), pp.1-45.

- Boulakroune M., "Traitement numérique des mesures par sonde ionique. Application aux siliciures", Thèse de magister, Dépt. d'Electronique, Univ. de Constantine, (1999).

- Es-Saadani A., "Etude par spectrométrie de masse d'ions secondaires des contacts Tungstène / Silicium et Tungstène /Chrome / Silicium", Thèse de Doctorat, INSA de Lyon, (1988), 140p.

- Schuhmacher M., "Propriétés Atomiques, données physico-chimiques des principaux métaux et métalloïdes",Techniques de l'ingénieur, Vol. M68, (1986), pp. 1-7.

- Moj. Vosile, "Secondary ion mass spectrometry; basic, concept, instrumental aspects, applications and trends", Physics Review, Vol. B29, (1984), p. 3785.

- Norskov J.K. and Lundquist, "Developments in secondary ion mass spectrometry and application to surfaces studies", Physics review, Vol. B19, (1979), p. 5661.

- Sykes D.E., "Dynamique Secondary ion Mass Spectrometry", In methods of surface analysis. Edited by J.M. Walls, VG Ionex, U.K. Cambridge University Press, New York, (1989).

- Anderson C.A. and Hinthorne J.R.., "Depth profiling by SIMS- depth resolution, dynamic range and sensitivity", Anal. Chemistery, Vol. 45, (1973), p. 1421.

- Chelgren J.E. et al., "Quantitative Analysis of layered s/c by SIMS", Anal. Chemistry, Vol.16, (1979), p. 324.

- Van Der Heide P.A.W., Min Zhang, Mount G.R. and Mc Intyre N.S., "The infinite velocity method for SIMS quantification", Surface and interface analysis, Vol. 21, (1994), pp.747-757.

- Hofman S., Zalar A., "Depth profiling with sample rotation: capability and limitations", Surface and interface analysis. Vol. 21, (1994), pp. 304-309.

- Morgan A.E. and Werner H.W., "Fundamental processes which affect the depth resolution obtainable in sputter depth profiling". Anal. Chemistry, Vol.11, (1978), p. 31.

- Brice G., "Etude de la résolution en profondeur lors de l'analyse par spectrométrie de masse des ions secondaires", Thèse de Doctorat, INSA de Lyon, (1997).

- Prudon G., "Etude de la sensibilité et de la résolution en profondeur lors de l'analyse par SIMS. Application à la Silice et au Silicium", Thèse de Doctorat, INSA de Lyon, 299p, (1990).

- Hofman S., Zalar A., "Depth profiling with sample rotation: capability and limitations", Surface and interface analysis, Vol. 21, (1994), pp. 304-309.

- Murarka, "Silicide for VLSI Applications", Academic, Orlando, (1983), p. 30.

- Blaise G. and Nourtier A., "Experimental and theoretical approaches to the ionization process in secondary ion emission", Surface Sciences, Vol. 90, (1997), p. 495.

- Quilici S., Meinardi F. and Sabbadini A., "Micro-Raman analysis of the effects of post-silicidation thermal treatments on C54 TiSi2 formation in confined areas", Solid state communication, (1999), pp. 141-143.


Renvois

  • Il n'y a présentement aucun renvoi.




Direction des Publications et de l'animation scientifique

Université des Frères Mentouri Constantine 1. Route Ain El-Bey. 25000. Algérie.