(RF) ‏بطريقة الرش المهــبطي: تأثير الاستطاعة a-SiN الخصائص الكهربائية لرقائق نيتريد السيليسيوم اللامتبلور

Authors

  • ع عطاف جامعة محمد خيضر بسـكرة
  • م.ص عيدة جامعة منتوري قسنطينة
  • م.ل بن خذير المركز الجامعي العربي التبسي

Keywords:

نيتريد السيليسيوم, الرش المهبطي, الشرائح الرقيقة, الخصائص الكهربائية

Abstract

تستعمل رقائق نيتريد السيليسيوم اللامتبلور (a-SiN) المحضرة تحت درجة حرارة منخفضة بكثرة في ميدان الإلكترونيات الدقيقة. و لملاحظة تأثير الاستطاعة RF  على الخصائص  الكهربائية لهذه الرقائق، تم ترسيب مجموعة منها تتراوح استطاعة توضعها بين 150 واط و 400 واط.

            تمت دراسة تغيرات التيار و السعة بدلالة الجهد و ذلك باستخدام تركيبة: (MIS)، حيث كان للاستطاعة RF تأثير واضح على هذه الخصائص، إذ بزيادتها تغير نوع النقل من الأومي إلى البـول-فرنكل، أما المقاومية (r) فقد أبدت تزايدا مع زيادة الاستطاعة، بينما تناقص مجال الانهيار الكهربائي وثابت العازلية الديناميكي (ed) مع زيادتها.

            دراسة السعـة الكهربائية C(v) بينـت أن الرقائق تحتوي على حوامـل شحـن في الحجـم و في منطقة التداخـل و تزايدت بزيـادة الاستطاعة RF، بينما أبدى ثابت العازلية الساكن (es) ارتفاعا كبيرا عند الإستطاعات الضعيفة ثم حدث له سقوط سريع، بعدها بدأ في التزايـد بزيادة الاستطاعة.

 

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

ع عطاف, جامعة محمد خيضر بسـكرة

قسم الفيزياء

م.ص عيدة, جامعة منتوري قسنطينة

وحدة البحث فيزياء المواد و تطبيقاتها

م.ل بن خذير, المركز الجامعي العربي التبسي

معهد العلوم الدقيقة، تبسة

References

- Johnson C.C, Wydeven T. and Donohoe K., Solar Energy Mater, 31, (1983), p. 355.

- Powell M.G. and Orton J., Appl. Phys. Lett., 45, (1984), p. 171.

- Burgess T.E., Baum J.C., Fowkes F.M., Holmstron R. and G.A., J. Electrochem. Soc., 116, (1968), p. 1005.

- Ramesh K., Chandorkar A.N. and Vasi J., J. Appl. Phys., 70 (40), 15 august (1991).

- Yoshiaki Kamigaki, Shinichi Minami and Hisoyuki Kato, J. Appl. Phys., 68 (5), 1 September (1990).

- Mogab C.J., Petroff P.M., and Shang T.T., J. Electrochem. Soc., 122, (1975), p. 815.

- Shimakawa K. and Wakamatsu S., J. Appl. Phys., 68 (1), 1 July (1990).

- Hattori R. and Shirafuji J., Journal of non Crystaline Solids, 128, (1991), pp. 91-100.

- Jiong Huoi Zhou, Kengou Yamaguchi, Yamamoto and Tatsuo Shimuzu, J. Appl. Phys., 74 (8), 15 October (1993).

- Aida M.S., Attaf A and Benkhedir M.L., Phil. Mag., 73, (1996), p. 339.

- Dimaria D.J. and Arnet P.C., IBM. J. Res. Develop. (1977), p. 277.

- Mogab C.J. and Lugujjo E., J. Appl. Phys., 47, (1976), p. 1302.

- Hu S.M. and Gregor L.V., J. Electrochem. Soc., 114, (1967), p. 826.

- Cordes L.F., Appl. Phys. Lett., 11, (1967), p. 383.

- Sze S.M., "Physics of semiconductor devices", (1981), ed. J. Wiley et Sons.

- Nicolas E.H. and Brews J.R., "MOS Physics and Technology", (1982), ed. J. Wiley et Sons.

Published

2001-06-01

How to Cite

عطاف ع., عيدة م., & بن خذير م. (2001). (RF) ‏بطريقة الرش المهــبطي: تأثير الاستطاعة a-SiN الخصائص الكهربائية لرقائق نيتريد السيليسيوم اللامتبلور. Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (15), 5–8. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/1756

Issue

Section

Articles