APPLICATION DU MODELE "DEFECT POOL" POUR LA SIMULATION DE LA PHOTOCONDUCTIVITE TRANSITOIRE DANS LE a-Si:H INTRINSEQUE ET DOPE PAR LE PHOSPHORE

Authors

  • A.F MEFTAH Université Mohammed Khider B.P. 145, Biskra 07000 (Algérie)
  • A.M MEFTAH Université Mohammed Khider B.P. 145, Biskra 07000 (Algérie)
  • A MERAZGA Université Mohammed Khider B.P. 145, Biskra 07000 (Algérie)

Keywords:

Densité des états, "Defect pool", photoconductivité transitoire

Abstract

Le profil d'énergie de la densité des états le long du gap du a-Si:H est déterminé conjointement par le modèle defect pool (MDP) et la queue de bande de conduction (QBC) calculée par la transformé de Fourier de la photoconductivité transitoire (PCT). La PCT obtenue par la simulation numérique est comparée avec les données expérimentales pour le cas du a-Si:H intrinsèque et le a-Si:H dopé par le phosphore. Les caractéristiques observées dans les courbes de la PCT à différentes températures permettent de calculer la fréquence d'émission au bord de la mobilité, le minimum de la queue de la QBC dans le a-Si:H intrinsèque et le pic de la bande des donneur dans le a-Si:H dopé .

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Author Biographies

A.F MEFTAH, Université Mohammed Khider B.P. 145, Biskra 07000 (Algérie)

Laboratoire des Matériaux
Semi-conducteurs et Métalliques

Faculté des Sciences

A.M MEFTAH, Université Mohammed Khider B.P. 145, Biskra 07000 (Algérie)

Laboratoire des Matériaux 
Semi-conducteurs et Métalliques

Faculté des Sciences

A MERAZGA, Université Mohammed Khider B.P. 145, Biskra 07000 (Algérie)

Laboratoire des Matériaux 
Semi-conducteurs et Métalliques

Faculté des Sciences

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Published

2004-06-01

How to Cite

MEFTAH, A., MEFTAH, A., & MERAZGA, A. (2004). APPLICATION DU MODELE "DEFECT POOL" POUR LA SIMULATION DE LA PHOTOCONDUCTIVITE TRANSITOIRE DANS LE a-Si:H INTRINSEQUE ET DOPE PAR LE PHOSPHORE. Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (21), 55–59. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/908

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