A NUMERICAL MODEL TO DETERMINE THE DIFFUSION LENGTH BY EBIC METHOD. STUDY OF Si CASE
الكلمات المفتاحية:
Technique EBIC، Longueur de diffusion، Calcul، Siliciumالملخص
Le silicium est très important pour la fabrication des cellules solaires. La caractérisationdes semiconducteurs par le microscope électronique à balayage (SEM) en utilisant les
technique associées, telle que le courant induit par le faisceau électronique (EBIC) et
cathodoluminescence (CL), est très intéressante. Actuellement, la méthode Monte Carlo
devient un bon outil pour simuler l’interaction électron-matière et la longueur de diffusion.
Dans ce travail, on propose un nouveau modèle de calcul Monte Carlo permet d’étudier la
profondeur des électrons et la dissipation d’énergie dans le silicium. Nos résultats sont
comparés avec ceux obtenus par d’autres modèles analytiques. Concernant la profondeur de
pénétration, il y a un bon accord avec les autres modèles, en particulier, dans le domaine de
faible énergie d’accélération.
التنزيلات
المراجع
- Lando D.P; and Binder K.,«A guide to Monte Carlo
Simulation in Statistical Physics», Cambridge University
Press. 2000.
- Holt D. B.- in SEM Microcharacterization of
Semiconductors, D. B. Holt and D. C. Joy Eds., (Academic
Press, London 1989), p. 241
- Yacobi B. G. and Holt D. B.,«Cathodoluminescence
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- Nouiri A. Thesis(PhD), 2000, University of
Constantine, Algeria
- Kanaya K. and Okayama S., “Penetration and energyloss
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- Wittry D. B. and Kyser D. K., “Measurement of
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-382
- Everhart T.E. and Hoff P.H., “Determination of
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-5846.
