EFFET DES DISLOCATIONS SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES DE CdTe
Mots-clés :
Dislocations, microindentation, photoluminescence, mesures électriques, barrière de Schottky, rosette d'indentationRésumé
L’effet des dislocations sur les propriétés électriques et optiques de CdTe de type n, pour les faces (111), est un sujet de très grand actualité.
Sur des cristaux non intentionnellement dopés, on introduit des dislocations par microindentation. Les mesures de photoluminescence et de capacité-tension ont permis la constatation d’un phénomène de compensation, d’augmentation du gap et la spécification de la nature des défauts ponctuels existants.
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Références
- Braun C., Helberg H.W. and George A., Phil. Mag. A53 (1986).
- Sudharsanan R., Parnham K.B. and Karam N.H., Laser Focus World, 32, N°6 (1996), p. 199.
- Guergouri K, Ferah M.S., Triboulet R. and Marfaing Y., Jour. Crystal. Growth, (1994), p. 139.
- Fissel A., Schenk M., J. of Mater. Sci., 3 (1992).
- Sieber B., Thèse d’état, Université Paris-Sud (1985).
- Zanio K., "Semiconductors and Semimetals", Academic Press (1978).
- Rivière A., Sieber B. and Rivière J.P., Microx. Microanal. Microstruct., 2 (1991).
