MODELE " DEFECT POOL" ET PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME STATIONNAIRE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (a-Si:H)
Mots-clés :
Defect pool, photoconductivité stationnaire, a-Si, HRésumé
Le présent travail consiste en la simulation numérique de la Photoconductivité en régime Stationnaire (PCS) dans le Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si:H) en prenant pour structure électronique du matériau la distribution énergétique des états des défauts calculée par le modèle
"defect pool" (MDP). Ce calcul tient en compte les réactions d'équilibre chimique intervenant dans le mécanisme de conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes. La réponse du matériau à une excitation optique continue est ensuite modélisée dans les conditions de quasiéquilibre du système. Les résultats de la PCS obtenues par simulation montrent un bon accord avec les résultats expérimentaux correspondants. L'interprétation de l'allure générale de la PCS en fonction de la température dans le cas du a-Si:H intrinsèque est faite en examinant la dépendance de température des différentes charges et taux de recombinaisons dans les états des queues de bande de conduction et de valence et des liaisons pendantes
Téléchargements
Références
Powell, M.J. and Deane, S.C. Phys Rev B48 10815 (1993).
Powell, M.J. and Deane, S.C. Phys Rev B53 10121 (1996).
Main, C. Berkin, J. and Merazga, A. New Physical Problem in
Electronic Material. Ed. N. Kirov World Scientific (1990).
J.G. Simmons and G.W. Taylor, Phys Rev B4 502 (1971).
W. Shockley and Jr. W.T. Read, Phys Rev B7 835 (1952).
H. Fritzsche, B. Yoon, D.Z. Chi and M.Q. Tran. Non-Cryst Solids
(1992).
Schumm, G. and Bauer, G.H. Philos Mag B64 515 (1991).
T. Smail et T.M. Brahim, Phil Mag B64 675 (1991).
J.K. Yoon, J. Jang and C. Lee, J. Appl. Phys 64 6951 (1988).
G. Erdogaan, Low Temperature of Hydrogenated Amorphous
Silicon (a-Si:H) Thin Films, Master of Science, Izmir, Turkey
(2001)
