EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET HYPERFREQUENCES DU MESFET GAAS
Mots-clés :
MESFET GaAs, couche active, substrat semi-isolantRésumé
Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur lescaractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium. Une
analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active
substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche
active et de l’interface. Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles
de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont
attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.
Références
K. Horio , Y. Fuseya, Two dimensional simulation of
drain-current Transients in GaAs MESFET’s with semiinsulating
substrates compensated by Deep levels, IEEE
Transaction on Electron Devices, vol.41 , n°8, p 1340-
, (1994).
Z. Ouarchi, Caractérisation et modélisation des effets
de pièges et thermiques des transistors à effet de champ
sur GaAs ; Application à la simulation de la dynamique
lente des circuits micro-ondes, Thèse de doctorat de
l’université de Limoges, N° 9-99.
M. Nawaz, T.A. Feldly, A new charge conserving
capacitance model for GaAs MESFET’S, IEEE
Transaction on Electron Devices, 44, 11 (1997).
S. D’Agostino, A.B. Berruto “Physics based expressions
for non- linear capacitances of MESFET equivalent
circuit” IEEE Transaction on M.T.T, 42, 3, p 403-406,
(1994).
C. Kenzai, Y. Saidi, M. Zaabat, N. Merabtine, “A new
model predicting the dynamic behaviour of GaAs
MESFET”, LATIVIAN journal of physics and technical
sciences N°4 (2003).
N. Merabtine, S. Amourache, Y. Saidi, M. Zaabat, C.
Kenzai, « New non linear model to determine Cgd
capacities of GaAs MESFET” Semiconductor Physics,
Quantum Electronics and Optoelectronics, V. 06, N°3.P.
-410 (2003).
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