EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET HYPERFREQUENCES DU MESFET GAAS

Auteurs-es

  • N MERABTINE Univ constantine &
  • M BELGAT Univ. Ferhat Abbes.Setif
  • M ZAABAT Univ. Oum EL-Bouaghi.
  • C KENZAI Univ Constantine 1
  • Y SAIDI Univ.constantine 1

Mots-clés :

MESFET GaAs, couche active, substrat semi-isolant

Résumé

Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur les
caractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium. Une
analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active
substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche
active et de l’interface. Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles
de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont
attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.

Bibliographies de l'auteur-e

N MERABTINE, Univ constantine &

Département d’électronique,
Faculté des sciences de
l’ingénieur.

M BELGAT, Univ. Ferhat Abbes.Setif

Département d’électronique,
Faculté des sciences de
l’ingénieur.

M ZAABAT, Univ. Oum EL-Bouaghi.

Département de physique. Inst.
Sciences exactes.

C KENZAI, Univ Constantine 1

Département de physique.
Faculté des sciences.

Y SAIDI, Univ.constantine 1

Département de physique.
Faculté des sciences.

Références

K. Horio , Y. Fuseya, Two dimensional simulation of

drain-current Transients in GaAs MESFET’s with semiinsulating

substrates compensated by Deep levels, IEEE

Transaction on Electron Devices, vol.41 , n°8, p 1340-

, (1994).

Z. Ouarchi, Caractérisation et modélisation des effets

de pièges et thermiques des transistors à effet de champ

sur GaAs ; Application à la simulation de la dynamique

lente des circuits micro-ondes, Thèse de doctorat de

l’université de Limoges, N° 9-99.

M. Nawaz, T.A. Feldly, A new charge conserving

capacitance model for GaAs MESFET’S, IEEE

Transaction on Electron Devices, 44, 11 (1997).

S. D’Agostino, A.B. Berruto “Physics based expressions

for non- linear capacitances of MESFET equivalent

circuit” IEEE Transaction on M.T.T, 42, 3, p 403-406,

(1994).

C. Kenzai, Y. Saidi, M. Zaabat, N. Merabtine, “A new

model predicting the dynamic behaviour of GaAs

MESFET”, LATIVIAN journal of physics and technical

sciences N°4 (2003).

N. Merabtine, S. Amourache, Y. Saidi, M. Zaabat, C.

Kenzai, « New non linear model to determine Cgd

capacities of GaAs MESFET” Semiconductor Physics,

Quantum Electronics and Optoelectronics, V. 06, N°3.P.

-410 (2003).

Téléchargements

Publié-e

2005-12-24

Comment citer

MERABTINE, N., BELGAT, M., ZAABAT, M., KENZAI, C., & SAIDI, Y. (2005). EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET HYPERFREQUENCES DU MESFET GAAS. Sciences & Technologie. B, Sciences De l’ingénieur, (24), 9–12. Consulté à l’adresse https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/236

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