EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET HYPERFREQUENCES DU MESFET GAAS

المؤلفون

  • N MERABTINE Univ constantine &
  • M BELGAT Univ. Ferhat Abbes.Setif
  • M ZAABAT Univ. Oum EL-Bouaghi.
  • C KENZAI Univ Constantine 1
  • Y SAIDI Univ.constantine 1

الكلمات المفتاحية:

MESFET GaAs، couche active، substrat semi-isolant

الملخص

Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur les
caractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium. Une
analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active
substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche
active et de l’interface. Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles
de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont
attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.

السير الشخصية للمؤلفين

N MERABTINE، Univ constantine &

Département d’électronique,
Faculté des sciences de
l’ingénieur.

M BELGAT، Univ. Ferhat Abbes.Setif

Département d’électronique,
Faculté des sciences de
l’ingénieur.

M ZAABAT، Univ. Oum EL-Bouaghi.

Département de physique. Inst.
Sciences exactes.

C KENZAI، Univ Constantine 1

Département de physique.
Faculté des sciences.

Y SAIDI، Univ.constantine 1

Département de physique.
Faculté des sciences.

المراجع

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التنزيلات

منشور

2005-12-24

كيفية الاقتباس

MERABTINE, N., BELGAT, M., ZAABAT, M., KENZAI, C., & SAIDI, Y. (2005). EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET HYPERFREQUENCES DU MESFET GAAS. مجلة علوم و تكنولوجيا ب، علوم الهندسة, (24), 9–12. استرجع في من https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/236

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