EFFET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET HYPERFREQUENCES DU MESFET GAAS
الكلمات المفتاحية:
MESFET GaAs، couche active، substrat semi-isolantالملخص
Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur lescaractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium. Une
analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active
substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche
active et de l’interface. Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles
de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont
attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.
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