INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE.
Mots-clés :
MESFET AsGa, Paramètres technologiques, éléments parasites, grille SchottkyRésumé
Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, letraitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouent
un rôle primordial. Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effet
de champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Après
une étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimes
de fonctionnement, une simulation numérique est effectuée. L’influence des dimensions
technologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée. Les résultats obtenus permettent de déterminer les
paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications et
utilisations spécifiques.
Références
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, N° 4 - 1993.
- C.S.Chang, D.Y.Day. IEEE Trans Electron Devices
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- K. F. Yasihuko and al. IEEE Trans U.T.T, N°3 –
- S. P. Murray, K. P. Roenker Solid State Electronics
Vol 46 -2002.
- T.A. Fjedley, T. Yterdal, M. S. Shur, Wiley, New
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- K.M.Shin, D.P.Klamer, J.I.Lion . Solid Stat
Electronics Vol 35, N° 11 – 1992.
- C. Leifso and al. IEEE Trans Electron Devices , N°5 –
- S.Khemissi Thèse de Magister Université de
Constantine Mai 2003.
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Publié-e
2005-12-24
Comment citer
KHEMISSI, S., MERABTINE, N., KENZAI, C., & BENBOUZA, M. (2005). INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LES CARACTERISTIQUES IV DU TRANSISTOR MESFET GAAS A GRILLE COURTE. Sciences & Technologie. B, Sciences De l’ingénieur, (24), 31–36. Consulté à l’adresse https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/268
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