SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES CARACTERISTIQUES I-V DU TRANSISTOR MESFET GaAs

Authors

  • N MERABTINE University Constantine 1
  • S KHEMISSI University of Khenchela Khenchela
  • C KENZAI University Constantine 1

Keywords:

MESFET, GaAs, Barrière de Schottky, propriétés bidimensionnelles.

Abstract

Dans cet article, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant-tension I-V d’un
transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’Arséniure de Gallium, dit MESFET GaAs. Ce modèle
physique est basé sur l’analyse bidimensionnelle de l’équation de Poisson dans la zone active sous la grille.
Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytique que nous
avons établi précédemment. Les résultats théoriques obtenus sont discutés et comparés avec ceux de
l’expérience.

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Author Biographies

N MERABTINE, University Constantine 1

Electronics department
Faculty of engineering

S KHEMISSI, University of Khenchela Khenchela

Technology department

C KENZAI, University Constantine 1

Département de physique
Faculté des Sciences

References

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Published

2004-12-22

How to Cite

MERABTINE, N., KHEMISSI, S., & KENZAI, C. (2004). SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES CARACTERISTIQUES I-V DU TRANSISTOR MESFET GaAs. Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (22), 69–74. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/222

Issue

Section

Articles