SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES CARACTERISTIQUES I-V DU TRANSISTOR MESFET GaAs

المؤلفون

  • N MERABTINE University Constantine 1
  • S KHEMISSI University of Khenchela Khenchela
  • C KENZAI University Constantine 1

الكلمات المفتاحية:

MESFET، GaAs، Barrière de Schottky، propriétés bidimensionnelles.

الملخص

Dans cet article, nous présentons un modèle de calcul des caractéristiques courant-tension I-V d’un
transistor à effet de champ à barrière Schottky à l’Arséniure de Gallium, dit MESFET GaAs. Ce modèle
physique est basé sur l’analyse bidimensionnelle de l’équation de Poisson dans la zone active sous la grille.
Dans ce cadre, nous avons élaboré un logiciel de simulation basé sur des expressions analytique que nous
avons établi précédemment. Les résultats théoriques obtenus sont discutés et comparés avec ceux de
l’expérience.

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السير الشخصية للمؤلفين

N MERABTINE، University Constantine 1

Electronics department
Faculty of engineering

S KHEMISSI، University of Khenchela Khenchela

Technology department

C KENZAI، University Constantine 1

Département de physique
Faculté des Sciences

المراجع

- Nowden S. et Pantoja, IEEE Tran. El. Dev., Vol. 36, N°9,

(1989).

- Tran H.et al ., IEEE Tran. El. Dev., Vol. 39, N°9, (1992).

- Janiguez B. et al., IEEE Tran. El. Dev., Vol.46, N°8, (1999).

- Chin S.P., We C.Y., IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 40,

N°4, (1993).

- Shin K.M., Klamer D.P., Lion J.I., Solid Stat Electronics,

Vol. 35, N°11, (1992).

- Chang C.S., Day D.Y., IEEE Trans. Electron Devices, Vol.

, N°2, (1989).

التنزيلات

منشور

2004-12-22

كيفية الاقتباس

MERABTINE, N., KHEMISSI, S., & KENZAI, C. (2004). SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DES CARACTERISTIQUES I-V DU TRANSISTOR MESFET GaAs. مجلة علوم و تكنولوجيا أ، علوم دقيقة, (22), 69–74. استرجع في من https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/222

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