A NUMERICAL MODEL TO DETERMINE THE DIFFUSION LENGTH BY EBIC METHOD. STUDY OF Si CASE

المؤلفون

  • Z ELATECHE University of Batna 05000
  • A NOUIRI University of Constantine 1

الكلمات المفتاحية:

Technique EBIC، Longueur de diffusion، Calcul، Silicium

الملخص

Le silicium est très important pour la fabrication des cellules solaires. La caractérisation
des semiconducteurs par le microscope électronique à balayage (SEM) en utilisant les
technique associées, telle que le courant induit par le faisceau électronique (EBIC) et
cathodoluminescence (CL), est très intéressante. Actuellement, la méthode Monte Carlo
devient un bon outil pour simuler l’interaction électron-matière et la longueur de diffusion.
Dans ce travail, on propose un nouveau modèle de calcul Monte Carlo permet d’étudier la
profondeur des électrons et la dissipation d’énergie dans le silicium. Nos résultats sont
comparés avec ceux obtenus par d’autres modèles analytiques. Concernant la profondeur de
pénétration, il y a un bon accord avec les autres modèles, en particulier, dans le domaine de
faible énergie d’accélération.

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السير الشخصية للمؤلفين

Z ELATECHE، University of Batna 05000

Department of Physics

A NOUIRI، University of Constantine 1

Department of Physics,

المراجع

- Lando D.P; and Binder K.,«A guide to Monte Carlo

Simulation in Statistical Physics», Cambridge University

Press. 2000.

- Holt D. B.- in SEM Microcharacterization of

Semiconductors, D. B. Holt and D. C. Joy Eds., (Academic

Press, London 1989), p. 241

- Yacobi B. G. and Holt D. B.,«Cathodoluminescence

Microscopy of Inorganic Solids», Edition Plenum Press,

New York and London, 1990.

- Nouiri A. Thesis(PhD), 2000, University of

Constantine, Algeria

- Kanaya K. and Okayama S., “Penetration and energyloss

theory of electrons in solid targets”, J. Phys D- Appl.

Phys., 5 (1972), pp. 43-58

- Wittry D. B. and Kyser D. K., “Measurement of

Diffusion Lengths in Direct-Gap Semiconductors by

Electron-Beam Excitation”, J. Appl. Phys., 38 (1967), pp.

-382

- Everhart T.E. and Hoff P.H., “Determination of

Kilovolt Electron Energy Dissipation vs Penetration

Distance in Solid Materials”, J. Appl. Phys., 42 (1971), pp.

-5846.

التنزيلات

منشور

2006-12-01

كيفية الاقتباس

ELATECHE, Z., & NOUIRI, A. (2006). A NUMERICAL MODEL TO DETERMINE THE DIFFUSION LENGTH BY EBIC METHOD. STUDY OF Si CASE. مجلة علوم و تكنولوجيا أ، علوم دقيقة, (24), 21–24. استرجع في من https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/135

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