ETUDE DU VIEILLISSEMENT DES TMOS ULTRA-COURTS
الكلمات المفتاحية:
TMOS، Pompage de charges، Vieillissementالملخص
Dans ce travail, nous avons mis en œuvre un modèle de la technique de pompage de charge pour le TMOS. Ce modèle, implanté dans le simulateur SPICE3F4, prend en considération la majorité des effets physiques décrivant le comportement réel du dispositif. La validation de notre modèle nous a fourni des résultats concernant le courant pompé Icp, en négligeant l’effet de la température sur les paramètres du TMOS, en fonction des niveaux haut et bas de l’impulsion de grille Vgh et Vgl et en fonction de la température. Nos résultats sont comparés à des résultats expérimentaux, analysés et commentés de manière à pouvoir en tirer des conclusions pratiques qui sont de nature à intéresser tous ceux qui sont appelés à réaliser des circuits de technologie VLSI.التنزيلات
المراجع
- Groeseneken G., Herman E.M., Beltran N. and Keersmaecker R., "A Reliable Approach to Charge-Pumping Measurements in MOS Transistors", IEEE Transaction On Electron Devices, Vol. ED-31, N°1, (1984), pp. 42-53.
- Groeseneken G. and Maes H.E., "Basic and applications of charge pumping in submicron MOSFET’s", Microelectronics Reliability, Vol. 38, (1998), pp. 1379-1389.
- Djahli F., Autran J.L., Plossu C. and Balland B., "Use of charge pumping technique to understand non-uniform n-channel MOSFET degradation", Materials Sciences and Engineering, B23, (1992), pp. 120-122.
- Autran J.L., Balland B. and Barbottin G., Vapaille A. (Editors), "Instabilities in Silicon Devices (North-Holland: Elsevier Science Publishers B.V.), "Charge pumping techniques, their use for diagnosis and interface states in MOS transistors", (1999).
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- Sze S.M., "Physics of Semiconductor Devices", New-York, Wiley & Sons, (1966).
