APPLICATION DU MODELE "DEFECT POOL" POUR LA SIMULATION DE LA PHOTOCONDUCTIVITE TRANSITOIRE DANS LE a-Si:H INTRINSEQUE ET DOPE PAR LE PHOSPHORE
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Densité des états، "Defect pool"، photoconductivité transitoireالملخص
Le profil d'énergie de la densité des états le long du gap du a-Si:H est déterminé conjointement par le modèle defect pool (MDP) et la queue de bande de conduction (QBC) calculée par la transformé de Fourier de la photoconductivité transitoire (PCT). La PCT obtenue par la simulation numérique est comparée avec les données expérimentales pour le cas du a-Si:H intrinsèque et le a-Si:H dopé par le phosphore. Les caractéristiques observées dans les courbes de la PCT à différentes températures permettent de calculer la fréquence d'émission au bord de la mobilité, le minimum de la queue de la QBC dans le a-Si:H intrinsèque et le pic de la bande des donneur dans le a-Si:H dopé .التنزيلات
المراجع
- Winer K., "Defect formation in a-Si:H", Phys. Rev. B41, (1990), p.12150.
- Street R.A., "Hydrogen diffusion and electronic metastability in amorphous silicon", Physica B., 170, (1991), p.69.
- Shumm G., Bauer G.H., "Thermodynamical equilibrium gap-state distribution in undoped a-Si:H", Philos. Mag. B, 64, (1991), p.515 .
- Shumm G.,"Chemical equilibrium description of stable and metastable defect structure in a-Si:H", Phys. Rev. B49, (1994), p.2427.
- Powell M.J., Deane S.C., "Improved defect-pool model for charged defects in amorphous silicon", Phys. Rev. B49, (1993), p.10815.
- Powell M.J., Deane S.C., "Defect-pool model and the hydrogen density of states in hydrogenated amorphous silicon", Phys. Rev. B53, (1996), p.10121.
- Webb D.P., "Optoelectronic properties of amorphous semiconductors," Ph.D. thesis, University of Abertay Dundee, (1994).
- Main C., Reynolds S., "An enhanced resolution technique for determination of the distribution of localized states in semiconductors from transient photocurrents", Appl. Phys. Letters, 76, (2000), p.3085.
- Merazga A., Belgacem H., Main C., Reynolds S., "Transient photoconductivity, density of tail states and doping effect in amorphous silicon", Solid State Comm., 112 (1999), p.535.
- Merazga A., Meftah A.F., Meftah A.M., Main C., Reynolds S., "Defect pool model based transient photoconductivity and the conduction band tail profile in a-Si:H", J. Phys. Condens. Matter., 13, (2001), p.10969.
- Elliot S.R., "Physics of Amorphous Materials", Second Edition, Longman Scientific & Technical (1990).
- Longeaud C., Kleider J.P.,"Trapping and recombination via dangling bonds in amorphous and glassy semiconductors under steady-state conditions: Application to the modulated photocurrent experiment", Phys. Rev. B48, (1993), p.8715.
- Street R.A., "Hydrogenated Amorphous Silicon", Cambridge University Press, Cambridge, (1991), pp.150-153.
