COMPORTEMENT DE LA SURFACE DU SILICIUM DE TYPE N HYDROGENEE PAR PLASMA EN MILIEUX AQUEUX FLUORES

Authors

  • T KERBACHE Université Mentouri Constantine (Algérie)
  • B BENHAOUA Université M. Boudiaf Biskra (Algérie)
  • A CHARI Université Mentouri Constantine

Keywords:

Photocourant, Jonction, Milieux aqueux

Abstract

Ce travail traite de l'effet de l'hydrogène sur  la jonction  Silicium /milieux aqueux. Pour cela, l'étude a porté sur l'effet de l'hydrogène sur le courant à l'obscurité et sur le photocourant ainsi que sur le potentiel de bandes plates.

Pour confirmer le rôle de l'hydrogène, nous avons chargé le silicium de type n par plasma et nous avons étudié le comportement à l’obscurité et sous éclairement de la surface du silicium de type n hydrogéné par plasma.

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Author Biographies

T KERBACHE, Université Mentouri Constantine (Algérie)

Département de Physique
Faculté des Sciences

B BENHAOUA, Université M. Boudiaf Biskra (Algérie)

Département de Physique
Faculté des Sciences

A CHARI, Université Mentouri Constantine

Département de Physique

Faculté des Sciences

 

References

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- Chari A., Thèse de Doctorat Orsay, Paris XI (1988).

Published

2004-06-01

How to Cite

KERBACHE, T., BENHAOUA, B., & CHARI, A. (2004). COMPORTEMENT DE LA SURFACE DU SILICIUM DE TYPE N HYDROGENEE PAR PLASMA EN MILIEUX AQUEUX FLUORES. Sciences & Technology. A, Exactes Sciences, (21), 37–40. Retrieved from https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/905

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