MODELE HYPERFREQUENCE DU TRANSISTOR MESFET GaAs
Keywords:
MESFET GaAs, hyperfréquences, facteurs d'admittance, gains de puissanceAbstract
Dans cet article, nous proposons une analyse mathématique du comportement dynamique du transistor à effet de champ à grille Schottky à l’arséniure de gallium.
Le système d’équations différentielles de la répartition du potentiel et du courant dans la zone active du composant est établi en tenant compte de l’effet de la réduction de mobilité en fonction du champ électrique. Sa résolution permet l’obtention des facteurs admittance du composant.
Les résultats obtenus concernent les variations des parties réelles et imaginaires des paramètres admittance en fonction de la fréquence pour deux types de structure à grille longue et à grille courte. Les performances hyperfréquences et plus particulièrement le facteur de stabilité de Linvill et les gains en puissance sont déterminés et la comparaison théorie – expérience montre le bien fondé de la méthode.
References
- Lungli C., Barton T.M., Miles R.E., "Avalanche breackdown and surface deep level trap effect in GaAs MESFET’s", IEEE Trans. on Elect. Devices, 40, 4, (1993).
- Lo S.H., Le C.P., "Numerical analysis of the looping effect GaAs MESFET’s", IEEE Trans. on Elect. Devices, 39, 2 (1992).
- Boudouh, "Etude des propriétés hyperfréquences du MESFET GaAs", thèse de Magister, Univ. Constantine (1999).
- Rodriguez Tellez J. et al., IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 41, N°3, March (1994).
- Benbouza M.S., Thèse de Magister, Univ. de Constantine (1994).
- Linvill J.G., Gibbons J.F., Transistors and Active Circuits, Mc. Graw Hiel New-York, (1961), pp. 209-263.
- Kenzai C. et al., Revue URSMA, Université de Constantine (1995-1996).
- Law L. et al., IEEE Transaction on Microwave Theory and Technics, Vol. M.T.T. 34, N°12, December (1986).
- Weitzez C.E. et al., IEEE Electron Devices Letters, Vol. 16, N°10, October (1995).
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Les auteurs publiant dans cette revue acceptent les termes suivants :- Les auteurs détiennent le droit d'auteurs et accordent à la revue
le droit de première publication, avec l’ouvrage disponible simultanément [SPÉCIFIER LA PÉRIODE DE TEMPS] après publication, sous la licence Licence d’attribution Creative Commons qui permet à d'autres de partager l'ouvrage en en reconnaissant la paternité et la publication initiale dans cette revue. - Les auteurs peuvent conclure des ententes contractuelles additionnelles et séparées pour la diffusion non exclusive de la version imprimée de l'ouvrage par la revue (par ex., le dépôt institutionnel ou la publication dans un livre), accompagné d'une mention reconnaissant sa publication initiale dans cette revue.
- Les auteurs ont le droit et sont encouragés à publier leur ouvrage en ligne (par ex., dans un dépôt institutionnel ou sur le site Web d'une institution) avant et pendant le processus de soumission, car cela peut mener à des échanges fructueux ainsi qu'à un nombre plus important, plus rapidement, de références à l’ouvrage publié (Consulter The Effect of Open Access).
