CRYSTALLIZATION OF THIN AMORPHOUS SILICON LAYERS BY VARIOUS LASERS

المؤلفون

  • N BOUKHEIT .Université Constantine 1
  • K MIROUH Université Constantine 1
  • A KARAALI Université Constantine 1

الكلمات المفتاحية:

Amorphos silicon، Thin films، Ruby- YAG-CO2، TEM، RBS، Cristallisation

الملخص

Pulsed ruby, pulsed and scanned YAG, and CO2 lasers have been used to crystallize thin C.V.D. deposited amorphous undoped silicon layers. Substrates are singlr crystal Si (100) or amorphous SiO2. 

The annealed layers have been investigated by RBS and TEM, using both plan viewed and cross - sectional samples. The roles played by the nature of the substrate and by the large amount of nitrogen in the deposited layers are studied. The major observations made during these investigations are qualitatively discussed

التنزيلات

بيانات التنزيل غير متوفرة بعد.

السير الشخصية للمؤلفين

N BOUKHEIT، .Université Constantine 1

Laboratoire des Propriétés Thermodynamiques et traitements de Surface des Matériaux

K MIROUH، Université Constantine 1

Laboratoire des Couches Minceset Interfaces, épartement de Physique

A KARAALI، Université Constantine 1

Laboratoire des Propriétés Thermodynamiques et traitements de Surface des Matériaux

المراجع

A. Gat, L. Gerzberg, J. F. Gibbons, T. G. Magee, P. Peng, and J. D. Hond, Appl. Phys. Lett., 33 (1978) 775.

J. Narayan and C. W. White, Appl. Phys. Lett., 44 (1984) 35.

S. R. Stiffler , M. O. Thompson, and P. S. Peercy, Phys. Rev., B 43 (12) (1990) 9851.

G. K. Giust and T. W. Sigmon, Appl. Phys. Lett., 70 (60) (1997) 767.

E. Fogarassy, S. de Unamuno, B. Prévot, T. Harrer, and S. Maresch, Thin Solid Films, 383 (2001) 48.

R. Saleh, N.H. Nickel, Journal of Non-Crystalline Solids 338–340 (2004) 143

G. K. Celler, J. M. Poate, L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett., 32 (1978) 464

P. Baeri, G. Foti, J. M. Poate, A. G. Cullis, in " Laser and electron beam solid interaction and materials processing ", edited by J. F. Gibbons and al., North Holland, N. Y. (1981) 81

M. Ivanda, K. Furic, O. Gamulin, M. Persin, and D. Gracin, J. Appl. Phys.70 (1991) 4637

R. Z. Bachrach, K. Winer, J. B. Boyce, S. E. Ready, R. I. Johnson, and G. B. Anderson, Electron. Mater. 19 (1990) 241

L. P. Avakyants, V. S. Gorelik, I. A. Kurova, and A. V. Chervyakov, SolidState Phys. 39 (1997) 1925

S. Higashi, T. Sameshima, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 480

G. Andrae, J.Bergmann, F.Falk, E.Ose, H.Stafast, Phys. Stat. Sol. (a) 166 (1998) 629

P. Baeri, S. U. Campisano, G. Foti, E. Rimini, J. Appl. Phys., 50 (2) (1979) 788

التنزيلات

منشور

2007-12-01

كيفية الاقتباس

BOUKHEIT, N., MIROUH, K., & KARAALI, A. (2007). CRYSTALLIZATION OF THIN AMORPHOUS SILICON LAYERS BY VARIOUS LASERS. مجلة علوم و تكنولوجيا أ، علوم دقيقة, (26), 27–32. استرجع في من https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/137

إصدار

القسم

Articles

المؤلفات المشابهة

1 2 3 > >> 

يمكنك أيضاً إبدأ بحثاً متقدماً عن المشابهات لهذا المؤلَّف.