MODELISATION ANALYTIQUE DE L’EFFET KINK DANS UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE POLYSILICIUM

Auteurs-es

  • N.H. TOUIDJEN Université Constantine 1
  • F. MANSOUR F. MANSOUR Université Constantine 1

Mots-clés :

Effet kink, transistor à couches minces (TFTs), polysilicium, modèle analytique.

Résumé

Un modèle analytique simple du fonctionnement, en régime statique, d’un transistor en couches
minces à base de polysilicium ou TFT poly-Si (polysilicon Thin Film Transistor) est proposé. Le modèle
décrit les propriétés du transistor ainsi que les phénomènes physiques représentatifs du silicium
polycristallin. Les résultats de cette étude sont représenté par la simulation du comportement électrique du
TFT en prenant en compte l’influence de l’augmentation de la tension de drain sur les caractéristiques
courant-tension appelé couramment effet ’’kink’’. C’est un effet très important car le courant augmente de
telle sorte qu’il n’est plus indépendant de la tension de drain et des dimensions du canal du transistor.
La comparaison des différents tracés, illustrant l’évolution des caractéristiques IDS(VDS) pour diverses
valeurs de VGS, avec les résultats de travaux expérimentaux et théoriques déjà existants ont révélé une
bonne concordance.

Bibliographies de l'auteur-e

N.H. TOUIDJEN, Université Constantine 1

Laboratoire d’Etude des Matériaux Electroniques pour
Application Médicale
Département d’Electronique

Faculté des Sciences de l’Ingénieur

F. MANSOUR F. MANSOUR, Université Constantine 1

Laboratoire d’Etude des Matériaux Electroniques pour
Application Médicale
Département d’Electronique

Faculté des Sciences de l’Ingénieur

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Téléchargements

Publié-e

2008-06-01

Comment citer

TOUIDJEN, N., & F. MANSOUR, F. M. (2008). MODELISATION ANALYTIQUE DE L’EFFET KINK DANS UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE POLYSILICIUM. Sciences & Technologie. B, Sciences De l’ingénieur, (27), 25–30. Consulté à l’adresse https://revue.umc.edu.dz/b/article/view/189

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