MODELISATION ANALYTIQUE DE L’EFFET KINK DANS UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE POLYSILICIUM
الكلمات المفتاحية:
Effet kink، transistor à couches minces (TFTs)، polysilicium، modèle analytique.الملخص
Un modèle analytique simple du fonctionnement, en régime statique, d’un transistor en couchesminces à base de polysilicium ou TFT poly-Si (polysilicon Thin Film Transistor) est proposé. Le modèle
décrit les propriétés du transistor ainsi que les phénomènes physiques représentatifs du silicium
polycristallin. Les résultats de cette étude sont représenté par la simulation du comportement électrique du
TFT en prenant en compte l’influence de l’augmentation de la tension de drain sur les caractéristiques
courant-tension appelé couramment effet ’’kink’’. C’est un effet très important car le courant augmente de
telle sorte qu’il n’est plus indépendant de la tension de drain et des dimensions du canal du transistor.
La comparaison des différents tracés, illustrant l’évolution des caractéristiques IDS(VDS) pour diverses
valeurs de VGS, avec les résultats de travaux expérimentaux et théoriques déjà existants ont révélé une
bonne concordance.
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