ANALYSE DU PHOTOCOURANT TRANSITOIRE SIMULE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE (a-Si :H) EN CONFIGURATIONS COPLANAIRE ET p+-i-n+

Auteurs-es

  • AM AM. MEFTAH1 Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000
  • AF. MEFTAH1 AF. MEFTAH1 Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000
  • T TIBERMACINE1 Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000
  • A MERAZGA Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000. 2EPICENTRE University of Abertay Dundee West Bell Street Dundee DD1 1HG

Mots-clés :

Dans ce travail, nous étudions, par simulation numérique, la photoréponse transitoire de films à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si, H) au travers de deux configurations, une cellule sandwich (p -i-n ) et une configuration coplanaire, lorsqu’elles s

Résumé

Dans ce travail, nous étudions, par simulation numérique, la photoréponse transitoire de films à base de silicium
amorphe hydrogéné (a-Si:H) au travers de deux configurations : une cellule sandwich (p+-i-n+) et une configuration
coplanaire, lorsqu’elles sont étudiées par les techniques de caractérisation ‘temps de vol’ (Time Of Flight : TOF) et
photoconductivité transitoire (PCT), respectivement. La densité des états profonds dans le ‘gap’ proposée dans la
simulation est calculée selon le modèle defect pool. La technique TOF est simulée en mode de courant limité par la
charge d’espace (Space Charge Limited Current : SCLC) pour différentes températures et tensions appliquées; la
technique de la PCT est simulée pour différentes températures. La similitude entre les résultats obtenus de la simulation
et des courbes expérimentales correspondantes renforce la validation du modèle defect pool. Deux temps
caractéristiques ont été identifiés de l’allure du photocourant transitoire ; le temps d’extraction de la charge, te,
spécifique à la cellule p+-i-n+, ainsi que le temps d’émission par les pièges profonds, tE. Son tracé d’Arrhenius donne,
pour les porteurs de charge, une fréquence d’échappement aux bords des mobilités d’environ 1011 Hz.

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AM AM. MEFTAH1, Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000

Laboratoire des Matériaux
Semiconducteurs et Métalliques

AF. MEFTAH1 AF. MEFTAH1, Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000

Laboratoire des Matériaux
Semiconducteurs et Métalliques

T TIBERMACINE1, Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000

Laboratoire des Matériaux
Semiconducteurs et Métalliques

A MERAZGA, Université Mohammed Khider BP 145, Biskra 07000. 2EPICENTRE University of Abertay Dundee West Bell Street Dundee DD1 1HG

1Laboratoire des Matériaux
Semiconducteurs et Métalliques

Références

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- Meftah AM., Modélisation du photocourant transitoire en

mode de courant limité par la charge d’espace (SCLC) dans

une structure n+-i-p+ de semiconducteur amorphe, Thèse de

magister, Université de Biskra, (2001).

- Meftah AM., Meftah AF. and Merazga A., Revue Courrier

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- Meftah AF., Application du modèle ‘defect pool’ pour la

simulation du photocourant transitoire dans le Silicium

amorphe hydrogéné (a-Si :H), Thèse de magister, Université

de Biskra, (2001).

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- Ganguly G., Sakata I. and Matsuda A., J. Non-Cryst. Solids,

-200, (1996), p. 300.

(a)

(b)

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Publié-e

2004-12-22

Comment citer

AM. MEFTAH1, A., AF. MEFTAH1, A. M., TIBERMACINE1, T., & MERAZGA, A. (2004). ANALYSE DU PHOTOCOURANT TRANSITOIRE SIMULE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE (a-Si :H) EN CONFIGURATIONS COPLANAIRE ET p+-i-n+. Sciences & Technologie. A, Sciences Exactes, (22), 63–68. Consulté à l’adresse https://revue.umc.edu.dz/a/article/view/217

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